一類以半導體晶粒相和絕緣性晶粒邊界相為其構成特征,并借晶粒邊界層作為電介質的陶瓷材料制成的電容器.稱為邊界層電容器.也稱為晶界層電容器或內(nèi)邊界層電容器.這類電容器主要是以主摻雜的BaTiO3或SrTiO3或它們的固溶體為基的...[繼續(xù)閱讀]

    半導體PN結或Schottky二極管中空間電荷區(qū)寬度隨反向偏壓的增加而伸展,相應結電容將隨之下降,這表明上述器件的勢壘電容可隨偏置電壓而改變.利用這一特性從而在電路上實現(xiàn)電調(diào)諧、諧波發(fā)生或參量放大的半導體二極管稱為變?nèi)荻?..[繼續(xù)閱讀]

    由于表面效應而引起的沿平行于表面方向的電導的變化.主要是對半導體及絕緣體而言.在半導體表面,通常存在電子表面態(tài),這些表面態(tài)能與體內(nèi)能級交換電子,結果使表面層電子過?；蛉鄙匐娮佣鴰щ?并由此產(chǎn)生自建電場.在自建電場...[繼續(xù)閱讀]

    表面化學是一門關于固體和液體表面或相界面的物理和化學性質的學科.它的內(nèi)容如溶質在溶液表面上的吸附和分凝,液體在固體表面上的浸潤,氣體在固體表面上的吸附等都與生產(chǎn)實際聯(lián)系緊密.早期的表面化學研究主要是對有關的表...[繼續(xù)閱讀]

    研究固體表面先要制備樣品,樣品表面除接觸污染外,往往由于所處環(huán)境氣氛中氣體分子的吸附和加熱過程中體內(nèi)雜質向表面的擴散,存在各種雜質原子,其中常遇到的是C、S、Si,O和Al諸元素.因此,有必要除去表面上的各種雜質元素,以制...[繼續(xù)閱讀]

    理想的完整的晶體表面是二維的晶格,具有嚴格的周期性.晶體表面任何破壞周期性的因素構成表面缺陷.替代式雜質原子、填隙原子、空位等是表面點缺陷,表面位錯環(huán),疇壁界等是表面的線缺陷.由于表面環(huán)境的特殊性,晶體表面還有一...[繼續(xù)閱讀]

    Potts模型是Ising模型的推廣,其中自旋可以多于兩個分量.考慮位于平面格點上的自旋系統(tǒng).每一自旋可取q個方向中的一個θn＝2nπ/q,n=0,1,2,…,q-1.一般的最近鄰互作用只依賴于相對取向θij=θni-θnj.這樣的系統(tǒng)具有Z(q)對稱性,其Hamilton量為當...[繼續(xù)閱讀]

    如果外場不太強,可用線性化Boltzmann方程來討論輸運現(xiàn)象,線性化Boltzmann方程有許多近似解法,利用變分原理來找線性化Boltzmann方程的解有它一定的特點,它是M.Z.Kohler在1949年提出來的,較之弛豫時間近似,得到了與實驗更符合的結果.在只...[繼續(xù)閱讀]

    也稱彈簧管壓力表.它是用得最廣泛的一種商品化壓力計.如圖1所示,測壓元件是一個預彎曲的扁金屬管.其一端是固定的開口端,另一端為可自由移動的封閉端.進入管內(nèi)的待測流體使彎管的截面更趨于圓形而管身趨于挺直.管的自由端的...[繼續(xù)閱讀]

    在利用量子場論方法研究粒子間存在相互作用的多粒子系統(tǒng)時,常采用產(chǎn)生算符和消滅算符表示系統(tǒng)的二次量子化哈密頓量.為計算系統(tǒng)的能級需要使此哈密頓量對角化.1947年Bogoliubov提出對哈密頓量中的產(chǎn)生算符、消滅算符作一線性變...[繼續(xù)閱讀]