10 nm尺度氮化鎵局域熱點的傳熱測量

摘要： 以氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體材料在功率半導體、微納電力電子器件等領域具有重要的應用，而電子器件中廣泛存在的納米尺度熱點(小于100 nm)極大地降低器件熱安全閾值，是熱安全隱患的重要來源，研究納米尺度熱點、充分理解納米尺度熱源的聲子導熱行為具有重要意義。納米熱點的可控生成及溫度測量一直是工程熱物理領域研究的熱點和難點，本文針對該難題發(fā)展的針尖增強拉曼測熱技術，同... （共8頁）