一種650 V微溝槽IGBT設(shè)計與優(yōu)化

摘要： 介紹了關(guān)于IGBT的注入增強(qiáng)原理，以及使用Sentaurus TCAD軟件對不同Mesa寬度以及不同溝槽柵長度的器件進(jìn)行了仿真優(yōu)化。根據(jù)仿真結(jié)果以及第三代FS Trench設(shè)計平臺，設(shè)計了一款650 V MPT-IGBT(Micro-Pattern Trench IGBT)。根據(jù)流片樣品的測試結(jié)果表明，相比于傳統(tǒng)的元胞節(jié)距(pitch)為4.5μm IGBT,本文的器件可以在降... （共6頁）