基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET可靠性預(yù)測(cè)綜述

摘要： 隨著大數(shù)據(jù)和計(jì)算技術(shù)的發(fā)展，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的可靠性預(yù)測(cè)方法在電子和電力系統(tǒng)領(lǐng)域正被越來(lái)越廣泛地應(yīng)用。對(duì)國(guó)內(nèi)外功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的可靠性預(yù)測(cè)方法進(jìn)行介紹和分析，揭示該方法從經(jīng)典統(tǒng)計(jì)方法到先進(jìn)機(jī)器學(xué)習(xí)方法的演變過(guò)程，對(duì)于統(tǒng)計(jì)學(xué)方法，介紹了高斯過(guò)程回歸、自回歸積分移動(dòng)平均模型等經(jīng)典統(tǒng)計(jì)學(xué)方法，以及不斷優(yōu)化和擴(kuò)展模型以進(jìn)行改進(jìn)的統(tǒng)計(jì)學(xué)方法；對(duì)于機(jī)器學(xué)習(xí)方法，集中探討了如... （共9頁(yè)）