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Y和C摻雜AlN電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究

中國陶瓷 頁數(shù)： 7 2024-10-24
摘要： 采用基于密度泛函理論的第一性原理方法，對本征AlN、Y摻雜AlN、C摻雜AlN以及Y和C共摻雜AlN的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，摻雜后能帶帶隙均減小，其中Y和C共摻雜AlN帶隙最小，電子發(fā)生躍遷概率最大，從而增強(qiáng)了AlN的導(dǎo)電性。與本征AlN相比，各摻雜體系靜態(tài)介電常數(shù)均增大，表明其電荷束縛能力和極化能力得到增強(qiáng)。光吸收譜表明，摻雜增強(qiáng)了AlN對長波的吸收范圍。 （共7頁）

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