集成電路CMP中金屬腐蝕復(fù)配緩蝕劑的研究進展

摘要： 在化學(xué)機械拋光(CMP)過程中,集成電路金屬多層布線因受拋光液中化學(xué)試劑的腐蝕而經(jīng)常導(dǎo)致表面缺陷的出現(xiàn)。將兩種及以上能夠產(chǎn)生協(xié)同緩蝕效果的化學(xué)試劑復(fù)配可以得到較單一試劑更強的緩蝕性能。介紹了多試劑協(xié)同腐蝕抑制的機理,總結(jié)了國內(nèi)外多試劑協(xié)同中兩種緩蝕劑、表面活性劑與緩蝕劑、兩種表面活性劑的復(fù)配協(xié)同在集成電路CMP金屬腐蝕抑制應(yīng)用中的研究進展,并延伸到碳鋼金屬等防腐領(lǐng)域,最后對CM... （共9頁）