柵極電阻對SiC MOSFET半橋電路串擾的影響

摘要： SiC MOSFET廣泛應(yīng)用于高頻領(lǐng)域，這使其在半橋電路中極易發(fā)生串擾現(xiàn)象。實際情況中，半橋電路上、下橋臂的柵極電阻通常保持一致。然而，現(xiàn)有的串擾研究僅在某一橋臂的柵極電阻為定值的條件下分析另一橋臂中柵極電阻的影響，難以獲取實際電路中的串擾特性。研究了SiC MOSFET半橋電路串擾特性，分析了上、下橋臂柵極電阻單獨變化與同步變化對串擾的影響規(guī)律，并探究了不同共源極電感情況下柵... （共7頁）