通過PO-KELM的3D NAND FLASH壽命預(yù)測方法研究

摘要： 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，以及各種芯片國產(chǎn)化的趨勢越來越明顯，3D NAND FLASH作為當(dāng)前存儲器件的重要代表，其壽命預(yù)測對于保障系統(tǒng)可靠性至關(guān)重要。因此，通過硬件搭建現(xiàn)場可編程門陣列采集平臺，對3D NAND FLASH進行特性分析，在不同擦除/寫入次數(shù)下模擬FLASH可能發(fā)生的不同誤碼情況，分析耐久性、數(shù)據(jù)保持特性以及讀、寫干擾特性的變化趨勢。同時提出鸚鵡優(yōu)化器改進的核... （共9頁）