富加鎵業(yè)氧化鎵外延片經(jīng)二輪器件驗(yàn)證,性能具有顯著國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
人工晶體學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 1 2024-12-15
摘要： <正>近日,杭州富加鎵業(yè)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):富加鎵業(yè))在第一輪器件驗(yàn)證基礎(chǔ)上,優(yōu)化分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)工藝,大幅提升外延片性能,基于此外延片研制的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)橫向功率器件,其電流密度提升78.3%,比導(dǎo)通電阻下降約50%,具備顯著國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。上述工作得到國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氧化鎵半導(dǎo)體材料... （共1頁(yè)）
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