非本征背照觸發(fā)平面型4H-SiC光導(dǎo)開關(guān)性能研究（英文）

摘要： 光導(dǎo)開關(guān)(PCSS)是脈沖高功率系統(tǒng)和微波技術(shù)應(yīng)用中的關(guān)鍵器件,減小碳化硅(SiC)光導(dǎo)開關(guān)的損傷,延長器件壽命是重要的研究方向。本工作在直徑4英寸、厚度500μm的高純半絕緣4H-SiC襯底上制備多種結(jié)構(gòu)的光導(dǎo)開關(guān)器件,重點研究了導(dǎo)通電阻和損傷機制。1kV偏壓下,采用532nm、170mJ的脈沖激光背面照射觸發(fā)經(jīng)過950℃退火的Au/TiW/Ni電極體系的碳化硅光導(dǎo)開關(guān),最小... （共7頁）