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大高徑比硅納米陣列結(jié)構(gòu)制作工藝及表面潤(rùn)濕性

微納電子技術(shù) 頁(yè)數(shù): 9 2024-04-15
摘要: 具有表面潤(rùn)濕特性的大高徑比納米結(jié)構(gòu)在諸多領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用,如液滴的微流控輸運(yùn)等。然而,大高徑比納米結(jié)構(gòu)的低成本制造具有一定的挑戰(zhàn)性。為此,采用二氧化硅納米粒子自組裝制備的薄膜及線條陣列的掩蔽干法刻蝕工藝,通過(guò)調(diào)節(jié)Bosch工藝刻蝕步數(shù),實(shí)現(xiàn)了高徑比從2∶1至幾十比一的硅納米結(jié)構(gòu)。以納米粒子薄膜和納米粒子線條陣列作為掩蔽層進(jìn)行刻蝕制備的硅納米陣列結(jié)構(gòu)表面分別展示了各向同性和各向異... (共9頁(yè))

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