鋁摻雜對(duì)硒化銦晶體結(jié)構(gòu)與性能的影響
人工晶體學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 8 2024-08-07
摘要： 硒化銦(InSe)是一種新型的窄禁帶(1.3 eV)層狀半導(dǎo)體，具有優(yōu)異的塑性和電學(xué)性能，在新型電子和光電子器件中具有廣泛應(yīng)用前景。采用布里奇曼(Bridgman)法生長(zhǎng)了未摻雜和鋁摻雜的InSe晶體，通過(guò)能譜儀(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)制備材料的化學(xué)成分和表面形貌進(jìn)行了表征。本文研究發(fā)現(xiàn)，鋁摻雜可調(diào)節(jié)InSe晶體的塑性和光電性能。X射線衍射(XRD)分析表明晶體具... （共8頁(yè)）
APP 