KDP類晶體快速生長(zhǎng)技術(shù)研究進(jìn)展（特邀）

摘要： 從技術(shù)路線、生長(zhǎng)設(shè)備和工藝優(yōu)化3個(gè)方面簡(jiǎn)述KDP類晶體快速生長(zhǎng)領(lǐng)域的研究進(jìn)展。通過(guò)生長(zhǎng)集成控制系統(tǒng)的研制、循環(huán)過(guò)濾系統(tǒng)的優(yōu)化升級(jí)，以及晶體生長(zhǎng)實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)、大尺寸KDP類晶體線切割設(shè)備、高精密退火設(shè)備的研發(fā)，實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)、切割、退火的全鏈路突破；通過(guò)數(shù)值模擬仿真優(yōu)化晶體生長(zhǎng)濃度場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)晶體穩(wěn)定良好的生長(zhǎng)，利用精密熱退火進(jìn)一步提高晶體的光透過(guò)性能和抗激光損傷性能。針對(duì)晶體柱錐交界... （共8頁(yè)）