一種基于開通柵極電壓的新型IGBT鍵合線老化監(jiān)測(cè)方法

摘要： 絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)的可靠運(yùn)行是牽引變流器安全和性能的重要保障。鍵合線老化作為IGBT的一種常見失效模式，對(duì)其進(jìn)行監(jiān)測(cè)具有重要意義。文中提出一種基于開通柵極電壓ugem的鍵合線老化監(jiān)測(cè)方法，該方法可有效避免溫度和負(fù)載電流帶來的影響。首先，基于IGBT等效電路模型，系統(tǒng)分析ugem受鍵合線斷裂影響的原... （共12頁）