基于統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)的RRAM器件特性參數(shù)分析

摘要： 本文統(tǒng)計(jì)了58款不同結(jié)構(gòu)和不同材料的RRAM器件結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性參數(shù),根據(jù)參數(shù)之間的聯(lián)系建立了器件特性參數(shù)的計(jì)算模型,用統(tǒng)計(jì)學(xué)的百分位法計(jì)算了器件數(shù)據(jù)的差異性,獲得了RRAM器件參數(shù)的定量指標(biāo).根據(jù)計(jì)算結(jié)果,我們發(fā)現(xiàn)RRAM器件的寫時(shí)間、擦?xí)r間、寫能量和數(shù)據(jù)維持時(shí)間均未達(dá)到預(yù)期指標(biāo), ECM器件低阻態(tài)時(shí)有量子力學(xué)效應(yīng),而VCM器件則沒有量子力學(xué)效應(yīng). RRAM器件還需要進(jìn)一步發(fā)展... （共14頁）