一次性可編程存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持特性建模及分析
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù)： 5 2024-04-20
摘要： 基于300 mm 0.18μm MS 5 V工藝平臺(tái)設(shè)計(jì)并流片了1k×16一次性可編程O(píng)TP器件，并對(duì)存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)、工作原理及工藝等可能影響數(shù)據(jù)保持壽命的因素進(jìn)行了分析。根據(jù)Arrhenius壽命模型對(duì)不同樣品設(shè)置了高溫老化實(shí)驗(yàn)測(cè)試，收集數(shù)據(jù)并對(duì)OTP器件的保持特性進(jìn)行建模。通過(guò)225℃、250℃和275℃條件下的高溫老化加速實(shí)驗(yàn)，擬合樣品最大數(shù)據(jù)保持時(shí)間曲線。在生產(chǎn)過(guò)程中可... （共5頁(yè)）
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