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環(huán)境溫度對(duì)HfO2鐵電存儲(chǔ)器的質(zhì)子輻照效應(yīng)影響研究

微電子學(xué) 頁(yè)數(shù)： 8 2024-04-20
摘要： 基于HfO2的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM)具有功耗低、存取速度快，易于小型化，抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在航天航空領(lǐng)域有廣袤的發(fā)展空間。然而，F(xiàn)eRAM在太空環(huán)境下的抗輻照性能尚未得到全面的研究。研究了W/TiN/Hf_(0.5)Zr_(0.5)O2(HZO)/TiN鐵電存儲(chǔ)器在常溫和高溫環(huán)境下經(jīng)5 MeV質(zhì)子輻照后的電學(xué)特性和鐵電疇結(jié)構(gòu)變化。通過(guò)電學(xué)和壓電響應(yīng)力顯微鏡(PF... （共8頁(yè)）

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