SONOS存儲單元數(shù)據(jù)保持特性退化研究

摘要： 探討了基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿進行編程、擦除的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存儲單元在擦寫循環(huán)后的數(shù)據(jù)保持特性。分別通過分析和實驗研究了擦寫過程中操作電壓大小對于VTH(編程)態(tài)、VTL(擦除)態(tài)存儲單元數(shù)據(jù)保持性能退化的影響。對于VTH態(tài)單元，其數(shù)據(jù)保持性能退化程度受操作電壓大小的影響不明顯，電荷流失速度主要受溫度影響；而VTL態(tài)單元數(shù)據(jù)... （共5頁）