浮柵和高壓柵極共摻在EEPROM中的應(yīng)用研究
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
頁數(shù)： 4 2024-08-15
摘要： 為簡化電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM）的制造工藝以及減少等離子體對(duì)隧道氧化層的損害，重點(diǎn)分析了將浮柵多晶硅和高壓器件的柵極共同摻雜對(duì)存儲(chǔ)器件和高壓器件的影響，包括不同摻雜濃度下EEPROM存儲(chǔ)單元的擦寫速度、讀取電流、可靠性以及高壓晶體管的電學(xué)特性等相關(guān)分析，探討優(yōu)... （共4頁）
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