當(dāng)前位置:首頁 > 科技文檔 > 硬件 > 正文

基于電壓調(diào)控自旋軌道矩器件多數(shù)決定邏輯門的存內(nèi)華萊士樹乘法器設(shè)計

電子與信息學(xué)報 頁數(shù): 8 2023-12-02
摘要: 在使用新型非易失性存儲陣列進(jìn)行存內(nèi)計算的研究中,存內(nèi)乘法器的延遲往往隨著位寬的增加呈指數(shù)增長,嚴(yán)重影響計算性能。該文設(shè)計一種電壓調(diào)控自旋軌道矩磁隨機(jī)存儲器(VGSOT-MRAM)單元交叉陣列,并提出一種存內(nèi)華萊士樹乘法器的電路設(shè)計方法。所提串聯(lián)存儲單元結(jié)構(gòu)通過電阻求和的方式,有效解決磁存儲器單元阻值較低的問題;其次提出基于電壓調(diào)控自旋軌道矩磁存儲器單元交叉陣列的存內(nèi)計算架構(gòu),利... (共8頁)

開通會員,享受整站包年服務(wù)立即開通 >
科技文檔