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基于數(shù)據(jù)殘留時間的SRAM-PUF預(yù)選算法

電子學(xué)報 頁數(shù): 10 2024-04-19
摘要: 靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)物理不可克隆函數(shù)(Physical Unclonable Function,PUF)利用參數(shù)設(shè)計完全相同的晶體管在制造過程中存在的工藝偏差,生成每塊芯片無法克隆的密鑰響應(yīng).由于SRAM-PUF內(nèi)部錯誤分布的隨機性,密鑰重構(gòu)需要使用糾錯碼,而糾錯電路的面積與其糾錯能力呈正相關(guān),為了降低SRAM-... (共10頁)

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