鈦酸鋇基阻變存儲(chǔ)單元的構(gòu)建及其特性
大連工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 5 2023-06-07
摘要: 采用磁控濺射在低阻態(tài)Si(100)襯底上制備均勻的鈦酸鋇(BTO)薄膜,通過(guò)磁控濺射制備Ag電極,構(gòu)建Si(100)/BTO/Ag阻變存儲(chǔ)單元。利用XRD,SEM和AFM對(duì)不同退火溫度和保溫時(shí)間下的BTO薄膜結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征,利用數(shù)字源表對(duì)Si(100)/BTO/Ag阻變存儲(chǔ)單元進(jìn)行阻變性能測(cè)試。結(jié)果表明,退火溫度750℃、保溫0.5 h條件下制備的BTO薄膜結(jié)晶度最高,薄膜... (共5頁(yè))