軟擊穿對壓控磁各向異性磁隧道結(jié)及其讀電路性能影響

摘要： 為了解決軟擊穿導(dǎo)致的壓控磁各向異性磁隧道結(jié)(voltage-controlled magnetic anisotropy magnetic tunnel junction, VCMA-MTJ)及其讀電路性能下降的問題，在對VCMA-MTJ軟擊穿機理深入分析的基礎(chǔ)上，修正了VCMA-MTJ的電學(xué)模型，設(shè)計了一種具有固定參考電阻的VCMA-MTJ讀電路和一種具有參考電阻調(diào)控單元的V... （共8頁）