高效光電調(diào)控鈣鈦礦量子點(diǎn)阻變存儲性能

摘要： 光電阻變存儲器(RRAM)因其微型化、集成化和多功能等優(yōu)點(diǎn)成為下一代非易失性存儲器中最有前途的競爭者。采用低溫旋涂法合成具有綠色熒光的無機(jī)CsPbBr₃量子點(diǎn)(QDs)為阻變功能層，制備了高效光電調(diào)控的Ag/CsPbBr₃QDs/ITORRAM器件。該器件具有良好的抗疲勞性能和保持特性。在光照觸發(fā)下，Ag/CsPbBr₃QDs/ITO器件的開關(guān)比(ON/OFF比)約為3.... （共8頁）