抗溫度干擾的STT-MRAM隨機(jī)數(shù)生成器及其安全性分析
信息網(wǎng)絡(luò)安全
頁(yè)數(shù)： 8 2022-08-10
摘要： 近年來(lái)，各向異性磁性材料因良好的隨機(jī)特性為隨機(jī)數(shù)發(fā)生器（Random Number Generator,RNG）等重要的硬件安全原語(yǔ)設(shè)計(jì)提供了一種新思路。已有的基于磁隧道結(jié)（Magnetic Tunnel Junction,MTJ）的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器方案雖然具有更高的安全性、能效和集成度等優(yōu)點(diǎn)，但依然無(wú)法有效解決輸出序列隨機(jī)性受溫度影響的問(wèn)題。文章提出了非均勻?qū)懭敕ê头枪潭▍⒖挤▋?.. （共8頁(yè)）
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