ontent">定義
單晶硅生長爐是通過直拉法制備單晶硅的制造設備。
原理簡介
首先,把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝,通過石墨加熱器產生的高溫將其熔化;然后,對熔化的硅液稍做降溫,使之產生一定的過冷度,再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體(稱作籽晶)插入熔體表面,待籽晶與熔體熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶體便會在籽晶下端生長;接著,控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3~5mm的細頸,用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產生的原子排列的位錯,這個過程就是引晶;隨后,放大晶體直徑到工藝要求的大小,一般為75~300mm,這個過程稱為放肩;接著,突然提高拉速進行轉肩操作,使肩部近似直角;然后,進入等徑工藝,通過控制熱場溫度和晶體提升速度,生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體;最后,待大部分硅溶液都已經完成結晶時,再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體,稱為收尾工藝;這樣一個單晶拉制過程就基本完成,進行一定的保溫冷卻后就可以取出。
直拉法,也叫切克勞斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法,用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單,容易實現自動控制,生產效率高,易于制備大直徑單晶,容易控制單晶中雜質濃度,可以制備低電阻率單晶。據統(tǒng)計,世界上硅單晶的產量中70%~80%是用直拉法生產的。
現狀
目前國內外晶體生長設備的現狀如下:
美國KAYEX公司
國外以美國KAYEX公司為代表,生產全自動硅單晶體生長爐。KAYEX公司是目前世界上最大,最先進的硅單晶體生長爐制造商之一。KAYEX的產品早在80年代初就進入中國市場,已成為中國半導體行業(yè)使用最多的品牌。該公司生長的硅晶體生長爐從抽真空-檢漏-熔料-引晶-放肩-等徑-收尾到關機的全過程由計算機實行全自動控制。晶體產品的完整性與均勻性好,直徑偏差在單晶全長內僅±1mm。主要產品有CG3000、CG6000、KAYEX100PV、KAYEX120PV、KEYEX150,Vision300型,投料量分別為30kg、60kg、100kg、120kg、150kg、300kg。
德國CGS GmbH公司
德國Crystal Growing Systems (CGS) GmbH公司成立于1999年8月,其前身為德國萊寶公司晶體生長部。目前其產品已經覆蓋生產6”到16”單晶硅棒的設備,設備主要有EKZ2700、 EKZ 3500/200、EKZ 3000/300,EKZ 3000/400型,投料量分別為60kg、150kg、300kg,400kg。
EKZ-2700 EKZ3500/200 EKZ3000/300 EKZ3000/400
圖6 德國CGS公司單晶爐圖(來自公司產品樣本)
中國西安理工大學研究所
國內以西安理工大學的晶體生長設備研究所為代表,自61年起開始生產晶體生長設備。主要產品有TDR-62B、TDR-70B、TDR-80。上虞晶盛機電工程有限公司是國內單晶硅生長爐行業(yè)的后起之秀,自主研發(fā)了真正的全自動控制系統(tǒng),產品迅速占領了IC級硅材料行業(yè)和高端太陽能行業(yè),主要產品有TDR80A-ZJS、TDR80B-ZJS、TDR80C-ZJS、TDR85A-ZJS、TDR95A-ZJS、TDR112A-ZJS。
晶體爐特點
HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設計。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉動,便于裝料和維護等。爐筒升降支撐采用雙立柱設計,提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面,便于平臺下面設備的維護。爐筒升降采用絲杠提升技術,簡便干凈。
全自動控制系統(tǒng)采用模塊化設計,維護方便,可靠性高,抗干擾性好。雙攝像頭實時采集晶體直徑信息。液面測溫確保下籽晶溫度和可重復性。爐內溫度或加熱功率控制方式可選,保證控溫精度。質量流量計精確控制氬氣流量。高精度真空計結合電動蝶閥實時控制爐內真空度。上稱重傳感器用于晶棒直徑的輔助控制。伺服電機和步進電機的混合使用,即可滿足轉動所需的扭矩,又可實現轉速的精確控制。質量流量計精確控制氬氣流量。
自主產權的控制軟件采用視窗平臺,操作方便簡潔直觀。多種曲線和數據交叉分析工具提供了工藝實時監(jiān)控的平臺。完整的工藝設定界面使計算機可以自動完成幾乎所有的工藝過程。
加熱電源采用綠色縱向12脈沖直流電源。比傳統(tǒng)直流電源節(jié)能近15%。
特殊的溫場設計使晶體提拉速度提高20-30%。
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