非晶硅 又名：amorphoussilicon

簡介

非晶硅在太陽輻射峰附近的光吸收系數(shù)比晶體硅大一個數(shù)量級。禁帶寬度1.7～1.8eV，而遷移率和少子壽命遠(yuǎn)比晶體硅低?，F(xiàn)已工業(yè)應(yīng)用，主要用于提煉純硅，制造太陽電池、薄膜晶體管、復(fù)印鼓、光電傳感器等。

分類

目前研究得最多，實用價值最大的非晶態(tài)半導(dǎo)體主要有兩類：即非晶態(tài)硅和硫?qū)侔雽?dǎo)體。特別是非晶態(tài)硅，在理論上和應(yīng)用方面的研究都非?；钴S。

歷史

晶態(tài)硅自50年代以來，已研制成功名目繁多、功能各異的各種固態(tài)電子器件和靈巧的集成電路。非晶硅（a—Si∶H）是一種新興的半導(dǎo)體薄膜材料，它作為一種新能源材料和電子信息新材料，自70年代問世以來，取得了迅猛發(fā)展。非晶硅太陽能電池是目前非晶硅材料應(yīng)用最廣泛的領(lǐng)域，也是太陽能電池的理想材料，光電轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到13%，這種太陽能電池將成為無污染的特殊能源。1988年全世界各類太陽能電池的總產(chǎn)量35.2兆瓦，其中非晶硅太陽能電池為13.9兆瓦，居首位，占總產(chǎn)量的40%左右。與晶態(tài)硅太陽能電池相比，它具有制備工藝相對簡單，原材料消耗少，價格比較便宜等優(yōu)點。

用途

非晶硅的用途很多，可以制成非晶硅場效應(yīng)晶體管；用于液晶顯示器件、集成式a—Si倒相器、集成式圖象傳感器、以及雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器等器件中作為非線性器件；利用非晶硅膜可以制成各種光敏、位敏、力敏、熱敏等傳感器；利用非晶硅膜制做靜電復(fù)印感光膜，不僅復(fù)印速率會大大提高，而且圖象清晰，使用壽命長；等等。目前非晶硅的應(yīng)用正在日新月異地發(fā)展著，可以相信，在不久的將來，還會有更多的新器件產(chǎn)生。

制作

非晶硅的制備：由非晶態(tài)合金的制備知道，要獲得非晶態(tài)，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態(tài)快速淬火的方法目前還無法得到非晶態(tài)。近年來，發(fā)展了許多種氣相淀積非晶態(tài)硅膜的技術(shù)，其中包括真空蒸發(fā)、輝光放電、濺射及化學(xué)氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，純度要求很高。非晶硅膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與制備工藝的關(guān)系非常密切，目前認(rèn)為以輝光放電法制備的非晶硅膜質(zhì)量最好，設(shè)備也并不復(fù)雜。以下簡介輝光放電法。

輝光放電法是利用反應(yīng)氣體在等離子體中發(fā)生分解而在襯底上淀積成薄膜，實際上是在等離子體幫助下進(jìn)行的化學(xué)氣相淀積。等離子體是由高頻電源在真空系統(tǒng)中產(chǎn)生的。根據(jù)在真空室內(nèi)施加電場的方式，可將輝光放電法分為直流電、高頻法、微波法及附加磁場的輝光放電。在輝光放電裝置中，非晶硅膜的生長過程就是硅烷在等離子體中分解并在襯底上淀積的過程。對這一過程的細(xì)節(jié)目前了解得還很不充分，但這一過程對于膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大影響。

硫?qū)侔雽?dǎo)體是S、Se或Te的金屬化合物，或這幾種化合物的混合物。這類材料在性質(zhì)上屬于半導(dǎo)體材料，但又象玻璃一樣是非晶態(tài)。為與一般氧化物玻璃和結(jié)晶半導(dǎo)體相區(qū)別，故把它們稱為玻璃半導(dǎo)體。又因為它們的主要成份是周期表中的硫?qū)僭兀视址Q為硫?qū)侔雽?dǎo)體，或叫硫?qū)俨Ａ?。硫?qū)侔雽?dǎo)體的品種很多，迄今研究得比較充分的硫?qū)侔雽?dǎo)體有As2S3、As2Se3、As2Te3及As2Se3—As2Te3、As2Se3—As2Te3—Te2Se等。硫?qū)侔雽?dǎo)體的應(yīng)用主要是基于它在光、熱、電場等外界條件作用下引起的性能和結(jié)構(gòu)變化。可用于制作太陽能電池、全息記錄材料、光—電記錄材料、復(fù)印機(jī)感光膜、硫?qū)俨ＡЧ饪棠z等。