當(dāng)前位置:首頁 > 百科知識 > 電子工程 > 列表
電子工程 共有 657 個詞條內(nèi)容

3D Touch

    3D Touch的觸控技術(shù),被蘋果成為新一代多點(diǎn)觸控技術(shù)。其實,就是此前在Apple Watch上采用的Force Touch,屏幕可感應(yīng)不同的感壓力度觸控...[繼續(xù)閱讀]

3D,Touch

龍芯

    龍芯是中國科學(xué)院計算所自主研發(fā)的通用CPU,采用簡單指令集,類似于MIPS指令集。龍芯1號的頻率為266MHz,最早在2002年開始使用。龍芯2號的頻率最高為1GHz。龍芯3A是首款國產(chǎn)商用4核處理...[繼續(xù)閱讀]

龍芯

EEPROM

    EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編...[繼續(xù)閱讀]

EEPROM

RDRAM

    RDRAM(Rambus DRAM)是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同,它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時,因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式,無法保證與原有的制造工藝相兼容...[繼續(xù)閱讀]

RDRAM

SRAM

    SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。...[繼續(xù)閱讀]

SRAM

DRAM

    DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一...[繼續(xù)閱讀]

DRAM

雙極型晶體管

    由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管,50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu):...[繼續(xù)閱讀]

雙極型晶體管

正向電流

    正向電流的意思是從正極流向負(fù)極的電流,簡稱正向電流。...[繼續(xù)閱讀]

正向電流

LQFP

    LQFP也就是薄型QFP(Low-profile Quad Flat Package)指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是日本電子機(jī)械工業(yè)會制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。...[繼續(xù)閱讀]

LQFP

CQFP

    CQFP是指保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一,引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽,以防止彎曲變形。...[繼續(xù)閱讀]

CQFP