RRAM 又名：阻變式存儲器

　　另一種解釋

　　RAM，又稱憶阻器，又名記憶電阻（英語：memory resistors），是一種被動電子元件。憶阻器被認為是電路的第四種基本元件，僅次于電阻器、電容器及電感元件。

　　憶阻器可以在關(guān)掉電源后，仍能“記憶”通過的電荷。兩組的憶阻器更能產(chǎn)生與晶體管相同的功能，但更為細小。最初于1971年，柏克萊加州大學的蔡少棠預測憶阻器的出現(xiàn)，之后從西元兩千年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的薄膜中發(fā)現(xiàn)了電場作用下的電阻變化，并應用到了下一代非揮發(fā)性存儲器-阻抗存儲器(RRAM)中。2008年4月，惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件，并首先將RRAM和憶阻器聯(lián)系起來。

　　最新動向

　　三星電子成功開發(fā)出備受業(yè)界矚目的阻變式存儲器(Resistive Random Access Memory)“可顯著提高耐久性和數(shù)據(jù)傳輸速度的可擦寫內(nèi)存技術(shù)”。

　　利用三星電子開發(fā)成功的RRAM技術(shù)制成的內(nèi)存產(chǎn)品，和現(xiàn)有內(nèi)存相比，擦寫速度提高了100萬倍，可反復擦寫1兆次，保證了產(chǎn)品優(yōu)異的耐久性。不僅如此，還可以大幅降低電流量，因此在業(yè)界產(chǎn)生了極大的反響。而且，該產(chǎn)品將原來分別需要一個晶體管和寄存器(Register)的1T1R(1 Transistor 1 Register) RRAM結(jié)構(gòu)變成不需要額外晶體管的結(jié)構(gòu)，因此可以提供進一步擴展內(nèi)存容量的可能性。